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MMBD301LT1G
RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 450 mV, 0.9 pF, SOT-23
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBD301LT1G
주문 코드2317676
Product RangeMMBD3
기술 데이터 시트
Diode ConfigurationSingle
Reverse Voltage30V
Forward Current200mA
Forward Voltage450mV
Diode Capacitance0.9pF
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max125°C
Product RangeMMBD3
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
제품 개요
The MMBD301LT1G is a Silicon Hot-carrier Detector and Switching Diode designed primarily for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily adaptable to many other fast switching RF and digital applications.
- 15ps Extremely low minority carrier lifetime
- 1.5pF at VR=15V Maximum very low capacitance
- 13nA DC Low reverse leakage IR
- -55 to 125°C Operating junction temperature range
애플리케이션
RF Communications, Sensing & Instrumentation, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Diode Configuration
Single
Forward Current
200mA
Diode Capacitance
0.9pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
125°C
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Reverse Voltage
30V
Forward Voltage
450mV
Diode Case Style
SOT-23
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
MMBD3
MMBD301LT1G의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000029