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MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MMBFJ309LT1G
주문 코드2442050
기술 데이터 시트
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
MMBFJ309LT1G의 대체 제품
5개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001