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MUN5111DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MUN5111DW1T1G
주문 코드2535583RL
기술 데이터 시트
Digital Transistor PolarityDual PNP
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-50V
Collector Emitter Voltage Max PNP50V
Continuous Collector Current Ic-100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Resistor Ratio, R1 / R21(Ratio)
Base Emitter Resistor R210kohm
RF Transistor CaseSOT-363
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation385mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min35hFE
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Digital Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
50V
Continuous Collector Current
100mA
Resistor Ratio, R1 / R2
1(Ratio)
RF Transistor Case
SOT-363
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
385mW
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-50V
Continuous Collector Current Ic
-100mA
Base Input Resistor R1
10kohm
Base Emitter Resistor R2
10kohm
Transistor Case Style
SOT-363
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000016