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NCV1413BDR2G
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 50 V, 500 mA
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NCV1413BDR2G
주문 코드2845425RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
DC Collector Current500mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Power Dissipation Pd-
Continuous Collector Current NPN500mA
DC Current Gain hFE1000hFE
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN1000hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins16Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current NPN
500mA
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
16Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
DC Collector Current
500mA
Power Dissipation Pd
-
DC Current Gain hFE
1000hFE
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
1000hFE
Transistor Case Style
SOIC
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000638