페이지 인쇄
NDS8958
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.035 ohm
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NDS8958
주문 코드1017727RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
기술 문서 (1)
관련 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005