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NTD5802NT4G
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 500+ | ₩1,276 |
| 1000+ | ₩1,273 |
| 5000+ | ₩1,270 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD5802NT4G
주문 코드2724410RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id101A
Drain Source On State Resistance3600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation93.75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (10-Jun-2022)
NTD5802NT4G의 대체 제품
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기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
101A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
93.75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (10-Jun-2022)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (10-Jun-2022)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000426