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NTD5C632NLT4G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 155 A, 2100 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 5000+ | ₩914 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NTD5C632NLT4G
주문 코드3929791RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id155A
Drain Source On State Resistance2100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
155A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Vietnam
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001