페이지 인쇄
NUP4201DR2G
ESD Protection Device, 25 V, SOIC, 8 Pins, 5 V
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NUP4201DR2G
주문 코드1703035RL
기술 데이터 시트
Clamping Voltage Vc Max25V
Diode Case StyleSOIC
TVS PolarityUnidirectional
No. of Pins8Pins
Reverse Standoff Voltage5V
Operating Voltage5V
Clamping Voltage Max25V
Power Dissipation Pd-
Minimum Breakdown Voltage6V
Maximum Breakdown Voltage6V
Peak Pulse Power Dissipation500W
Qualification-
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The NUP4201DR2G is a low capacitance surface-mount TVS Diode for high-speed data interfaces. It is designed to protect equipment attached to high speed communication lines from ESD, EFT and lightning.
- 500W Peak power (8 x 20μsec waveform)
- IEC 61000-4-2 (ESD) 15kV (air) 8kV (contact)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 (lightning) 25A (8/20μs)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Imaging, Video & Vision, Industrial
기술 사양
Clamping Voltage Vc Max
25V
TVS Polarity
Unidirectional
Reverse Standoff Voltage
5V
Clamping Voltage Max
25V
Minimum Breakdown Voltage
6V
Peak Pulse Power Dissipation
500W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Diode Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Operating Voltage
5V
Power Dissipation Pd
-
Maximum Breakdown Voltage
6V
Qualification
-
Automotive Qualification Standard
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000195