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NVBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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| 10+ | ₩23,486 |
| 50+ | ₩22,710 |
| 100+ | ₩21,933 |
| 250+ | ₩21,495 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NVBG040N120M3S
주문 코드4244653
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0405ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.22V
Power Dissipation297W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.0405ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.22V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
297W
Product Range
EliteSiC Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001