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NXH200B100H4F2SG
IGBT Module, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH200B100H4F2SG
주문 코드3929803
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationPIM
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation93W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1kV
IGBT TechnologyIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
기술 사양
IGBT Configuration
PIM
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
93W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1kV
Transistor Mounting
Panel
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.09