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NXH80B120MNQ0SNG
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, DualPack, Dual N Channel, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH80B120MNQ0SNG
주문 코드3929815
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationDualPack
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation69W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
DualPack
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
69W
Product Range
EliteSiC Series
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.09