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NXH80T120L3Q0S3G
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호NXH80T120L3Q0S3G
주문 코드3929816
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation188W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Continuous Collector Current
75A
Power Dissipation
188W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.09