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QRE1113
Reflective Photo Interrupter, Miniature, Phototransistor, Through Hole, 1 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.2 Vf
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|---|---|
| 1+ | ₩1,424 |
| 10+ | ₩1,120 |
| 25+ | ₩1,024 |
| 50+ | ₩928 |
| 100+ | ₩831 |
| 500+ | ₩702 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호QRE1113
주문 코드2322565
기술 데이터 시트
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Supply Voltage Min-
Sensing Distance1mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageDIP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.2V
Collector Current IC Max20mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The QRE1113 is a Miniature Reflective Object Sensor with photo transistor output. No contact surface sensing. Gull wing lead form. Through-hole 2lead form.
- -40 to 85°C Operating temperature
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Forward Voltage
1.2V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Sensing Distance
1mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
DIP
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
20mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
QRE1113의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005