페이지 인쇄
UHB50SC12E1BC3N
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, P Channel, 69 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, PIM
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
여기에 관심 품목 등록
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩213,247 |
| 10+ | ₩201,706 |
| 100+ | ₩189,309 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩213,247
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호UHB50SC12E1BC3N
주문 코드4750198
Product RangeEliteSiC Series
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StylePIM
No. of Pins18Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
69A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
18Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
PIM
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
208W
Product Range
EliteSiC Series
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001