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2SK3018T106
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호2SK3018T106
주문 코드1680169RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
제품 개요
The 2SK3018T106 is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
애플리케이션
Power Management, Portable Devices, Industrial
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
2SK3018T106의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00003