페이지 인쇄
BM3G107MUV-EVK-003
Evaluation Board, BM3G107MUV-LB, GaN HEMT Power Stage, Power Management
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
2 재고
더 필요하세요?
2 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩40,475 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩40,475
라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호BM3G107MUV-EVK-003
주문 코드4721199
기술 데이터 시트
Silicon ManufacturerRohm Semiconductor
Silicon Core NumberBM3G107MUV-LB
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeGaN HEMT Power Stage
Kit ContentsEvaluation Board BM3G107MUV-LB
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
BM3G107MUV-EVK-003 is a BM3G107MUV 650V GaN HEMT power stage evaluation board. This evaluation board consists of the BM3G107MUV (GaN FET (650V 70mohm), integrated driver and protection circuit) and a board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET.
- BM3G107MUV: Nano Cap™ integrated output selectable 5V LDO
- Long time support product for industrial applications
- Wide operating range for VDD pin voltage and wide operating range for IN pin voltage
- Low propagation delay
- High dv/dt immunity
- Adjustable gate drive strength
- Power good signal output
- VDD UVLO protection
- Thermal shutdown protection
기술 사양
Silicon Manufacturer
Rohm Semiconductor
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board BM3G107MUV-LB
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Silicon Core Number
BM3G107MUV-LB
Application Sub Type
GaN HEMT Power Stage
Product Range
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:90308900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001