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QH8MA2TCR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.035 ohm
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제조업체 표준 리드 타임: 22주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,442 |
| 10+ | ₩896 |
| 100+ | ₩585 |
| 500+ | ₩450 |
| 1000+ | ₩331 |
| 5000+ | ₩293 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 5
주문 배수수량: 5
₩7,210
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호QH8MA2TCR
주문 코드2706592
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.08ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.08ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.005577