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RD3G06BBJHRBTL
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 68 A, 0.0131 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,884 |
| 10+ | ₩1,813 |
| 100+ | ₩1,340 |
| 500+ | ₩1,122 |
| 1000+ | ₩1,009 |
| 5000+ | ₩1,005 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RD3G06BBJHRBTL
주문 코드4826832
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source On State Resistance0.0131ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation77W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
68A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
77W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0131ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00032