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RD3G07BATTL1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 5700 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RD3G07BATTL1
주문 코드3639760
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance5700µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation101W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
101W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000006