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RJ1N10BBHTL1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 235 A, 2000 µohm, TO-263AB (D2PAK), Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 10+ | ₩7,315 |
| 100+ | ₩6,094 |
| 500+ | ₩5,070 |
| 1000+ | ₩4,969 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호RJ1N10BBHTL1
주문 코드4633502RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id235A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation189W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
235A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
189W
Operating Temperature Max
150°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001