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SH8M24TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 45 V, 45 V, 6 A, 6 A, 0.046 ohm
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제조업체 표준 리드 타임: 25주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩1,482 |
| 500+ | ₩1,184 |
| 1000+ | ₩1,025 |
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8M24TB1
주문 코드3976640RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Drain Source Voltage Vds N Channel45V
Drain Source Voltage Vds P Channel45V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Continuous Drain Current Id P Channel6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.063ohm
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOP
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source Voltage Vds P Channel
45V
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.063ohm
Transistor Case Style
SOP
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
45V
Continuous Drain Current Id
6A
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00005