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SH8MA4TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0165 ohm
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8MA4TB1
주문 코드3934727RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN and P Channel
Channel TypeN and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.0165ohm
Continuous Drain Current Id N Channel9A
Continuous Drain Current Id P Channel9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0165ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.0165ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOP
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd3W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3W
Power Dissipation P Channel3W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Transistor Polarity
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.0165ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
9A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
9A
Continuous Drain Current Id N Channel
9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0165ohm
Transistor Case Style
SOP
Power Dissipation Pd
3W
Power Dissipation N Channel
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005