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SH8MC4TB1
Dual MOSFET, N and P Channel, 60 V, 60 V, 3.5 A, 4 A, 0.095 ohm
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 100+ | ₩1,026 |
| 500+ | ₩842 |
| 1000+ | ₩675 |
| 5000+ | ₩673 |
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₩102,600
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호SH8MC4TB1
주문 코드4410735RL
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.095ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.096ohm
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
기술 사양
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.095ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.096ohm
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001