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UT6MA3TCR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.042 ohm
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제조업체 표준 리드 타임: 19주
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,069 |
| 10+ | ₩1,146 |
| 100+ | ₩826 |
| 500+ | ₩675 |
| 1000+ | ₩527 |
| 5000+ | ₩476 |
가격기준Each (Supplied on Cut Tape)
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩2,069
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제품 정보
제조업체ROHM
제조업체 부품 번호UT6MA3TCR
주문 코드2706783
기술 데이터 시트
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.5A
Continuous Drain Current Id P Channel5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.042ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.059ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.059ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.042ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000012