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GD50HFX170C1S
IGBT Module, Half Bridge, 100 A, 1.85 V, 418 W, 150 °C, Module
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제품 정보
제조업체STARPOWER
제조업체 부품 번호GD50HFX170C1S
주문 코드3912067
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation418W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
기술 사양
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
418W
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:To Be Advised
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제품 준수 증명서
무게(kg):.15