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BD139
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Through Hole
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| 10+ | ₩432 |
| 100+ | ₩379 |
| 500+ | ₩287 |
| 1000+ | ₩212 |
| 5000+ | ₩208 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호BD139
주문 코드1015770
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current1.5A
Power Dissipation12.5W
Transistor Case StyleSOT-32
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BD139 is a NPN complementary low voltage NPN transistor in 3 pin SOT-32 package. This device is designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits.
- Products are pre-selected in DC current gain
- Collector to emitter voltage (Vce) is 80V
- Collector current (Ic) is 1.5A
- Power dissipation (Pd) is 12.5W
- Collector to emitter saturation voltage of 500mV at 0.5A collector current
- DC current gain (hFE) of 25 at 0.5A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1.5A
Transistor Case Style
SOT-32
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
12.5W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001334