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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,192 |
| 10+ | ₩544 |
| 100+ | ₩480 |
| 500+ | ₩368 |
| 1000+ | ₩265 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호BD679
주문 코드9946454
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd40W
DC Collector Current4A
RF Transistor CaseSOT-32
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The BD679 is a 60V Silicon NPN Complementary Power Darlington Transistor manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Monolithic Darlington configuration with integrated anti parallel collector-emitter diode. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
40W
RF Transistor Case
SOT-32
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
4A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:India
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001814