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MJD117T4
Bipolar (BJT) Darlington Transistor, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩1,409 |
| 10+ | ₩950 |
| 100+ | ₩637 |
| 500+ | ₩513 |
| 1000+ | ₩422 |
| 5000+ | ₩368 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호MJD117T4
주문 코드2341707
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current2A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The MJD117T4 is a PNP complementary power Darlington Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. It has monolithic Darlington configuration with integrated anti-parallel collector-emitter diode.
- Good hFE linearity
- High fT frequency
- Complementary pair - MJD112
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
2A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000726