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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩2,076 |
| 10+ | ₩1,306 |
| 100+ | ₩881 |
| 500+ | ₩690 |
| 1000+ | ₩559 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호MJD31CT4
주문 코드1467922
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation15W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min10hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The MJD31CT4 is a NPN low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Surface-mount power package
- PNP complementary to the type is MJD32C
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
10hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
15W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000383