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MJD45H11T4
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩1,824 |
| 10+ | ₩1,173 |
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| 500+ | ₩600 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호MJD45H11T4
주문 코드2341709
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max80V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The MJD45H11T4 is a PNP complementary Power Transistor manufactured using low voltage Multi Epitaxial Planar technology. It is intended for general-purpose linear and switching applications.
- Low collector-emitter saturation voltage
- Fast switching speed
- Surface-mount power package
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
80V
Power Dissipation
20W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000536