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MJE3055T
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩2,367 |
| 10+ | ₩1,149 |
| 100+ | ₩1,004 |
| 500+ | ₩806 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호MJE3055T
주문 코드9802460
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation75W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min400hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The MJE3055T is a 60V Silicon Epitaxial Base NPN Power Transistor intended for power switching circuits and general purpose amplifiers. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
- Complementary to the MJE2955T
- Well-controlled hFE parameter for increased reliability
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
400hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
75W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002