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SCT018HU65G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 650 V, 0.029 ohm, HU3PAK
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩20,334 |
| 5+ | ₩18,799 |
| 10+ | ₩17,844 |
| 50+ | ₩17,178 |
| 100+ | ₩16,529 |
| 250+ | ₩16,273 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCT018HU65G3AG
주문 코드4740489
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleHU3PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation388W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HU3PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
388W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Italy
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001