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SCT027H65G3AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 650 V, 0.0393 ohm, H2PAK
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCT027H65G3AG
주문 코드4555392RL
기술 데이터 시트
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0393ohm
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0393ohm
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
300W
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000001