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SCTL35N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 650 V, 0.045 ohm, PowerFLAT HV
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCTL35N65G2V
주문 코드3764234RL
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor Case StylePowerFLAT HV
No. of Pins5Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation417W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
No. of Pins
5Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
PowerFLAT HV
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
417W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00018