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SCTW100N65G2AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩69,210 |
| 5+ | ₩60,559 |
| 10+ | ₩50,178 |
| 50+ | ₩44,987 |
| 100+ | ₩41,526 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호SCTW100N65G2AG
주문 코드3387273
기술 데이터 시트
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation420W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
기술 사양
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
420W
Product Range
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0045