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제품 정보
제조업체 부품 번호STB13007DT4
주문 코드2341711
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min18hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The STB13007DT4 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure to enhance switching speeds. Improved specification offers lower leakage current, tighter gain range, DC current gain pre-selection and tighter storage time range.
- Integrated free-wheeling diode
- Low spread of dynamic parameters
- Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
- Very high switching speed
- Large RBSOA
- In compliance with the 2002/93/EC European directive
애플리케이션
Industrial, Power Management, Lighting
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
18hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00196