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STD18N55M5
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩5,373 |
| 10+ | ₩3,657 |
| 100+ | ₩2,588 |
| 500+ | ₩2,446 |
| 1000+ | ₩2,304 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STD18N55M5
주문 코드2098164
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds550V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The STD18N55M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology with PowerMESH™ horizontal layout structure. The device has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
- Higher VDSS rating
- High dV/dt capability
- Excellent switching performance
- Easy to drive
- 100% Avalanche tested
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
550V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000467