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STD2NK90ZT4
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 2.1 A, 5 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩2,497 |
| 10+ | ₩2,081 |
| 100+ | ₩1,401 |
| 500+ | ₩1,234 |
| 1000+ | ₩1,067 |
| 5000+ | ₩1,048 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STD2NK90ZT4
주문 코드2353658
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
- 900V, 2.1A N-channel SuperMESH™ power MOSFETs in 3 pin DPAK package
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Optimization of the well-established PowerMESH™
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.0001