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STGB10NC60KDT4
IGBT, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGB10NC60KDT4
주문 코드1456836
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
The STGB10NC60KDT4 is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
애플리케이션
Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00138