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STGD4M65DF2
IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGD4M65DF2
주문 코드3366980RL
Product Range650V M
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation68W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range650V M
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
68W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
650V M
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00033