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STGE200NB60S
IGBT Module, Single, 200 A, 1.6 V, 600 W, 150 °C, ISOTOP
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩43,708 |
| 5+ | ₩38,125 |
| 10+ | ₩32,542 |
| 50+ | ₩32,274 |
| 100+ | ₩32,005 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGE200NB60S
주문 코드1293645
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Transistor Case StyleISOTOP
IGBT TerminationScrew
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
애플리케이션
Motor Drive & Control, Motor Drive & Control, Power Management
기술 사양
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
200A
Power Dissipation
600W
No. of Pins
4Pins
IGBT Termination
Screw
IGBT Technology
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
ISOTOP
Collector Emitter Voltage Max
600V
Transistor Mounting
Panel
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.03