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STGSH50M120D
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
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제품 정보
제조업체 부품 번호STGSH50M120D
주문 코드4632559
기술 데이터 시트
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current69A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation536W
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleACEPACK SMIT
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Continuous Collector Current
69A
Power Dissipation
536W
Transistor Case Style
ACEPACK SMIT
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000001