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STN4NF20L
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
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|---|---|
| 1+ | ₩1,092 |
| 10+ | ₩767 |
| 100+ | ₩640 |
| 500+ | ₩494 |
| 1000+ | ₩431 |
| 5000+ | ₩406 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STN4NF20L
주문 코드2629750
Product RangeStripFET II
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStripFET II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
- 200V, 1A N channel STripFET™ II power MOSFET in 4 pin SOT-223 package
- 100% avalanche tested
- Low gate charge
- Exceptional dv/dt capability
- Designed to minimize input capacitance and gate charge
- Suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC to DC converters
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
StripFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
STN4NF20L의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000726