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STP3NK90Z
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Through Hole
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|---|---|
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| 500+ | ₩1,482 |
| 1000+ | ₩1,409 |
| 5000+ | ₩1,381 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STP3NK90Z
주문 코드9803122
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance4.1ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The STP3NK90Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is series is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Extremely high dV/dt capability
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
4.1ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002