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STP45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩12,754 |
| 5+ | ₩10,423 |
| 10+ | ₩8,091 |
| 50+ | ₩7,761 |
| 100+ | ₩7,431 |
| 250+ | ₩7,283 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STP45N65M5
주문 코드2344100
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.078ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The STP45N65M5 is a 650V N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The MOSFET has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Worldwide best RDS (on)
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% Avalanche tested
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.078ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002734