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STP55NF06L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-220, Through Hole
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩2,560 |
| 10+ | ₩1,434 |
| 100+ | ₩1,382 |
| 500+ | ₩1,216 |
| 1000+ | ₩1,059 |
| 5000+ | ₩974 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STP55NF06L
주문 코드2101463
Product RangeSTP
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation95W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
제품 개요
The STP55NF06L is a N-channel Power MOSFET, latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- Exceptional dv/dt Capability
- 100% Avalanche Tested
- Application Oriented Characterization
애플리케이션
Audio, Signal Processing
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
55A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
95W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0022