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STP80NF55L-06
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Through Hole
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제품 정보
제조업체 부품 번호STP80NF55L-06
주문 코드1291989
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The STP80NF55L-06 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- 0.005Ω RDS (ON)
- Low threshold drive
- Logic level device
- Surface-mount power package
- -55 to 175°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Morocco
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00204