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STPSC10H065G-TR
Silicon Carbide Schottky Diode, 650V Series, Single, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-263
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제품 정보
제조업체 부품 번호STPSC10H065G-TR
주문 코드2376463RL
Product Range650V
기술 데이터 시트
Product Range650V
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Average Forward Current10A
Total Capacitive Charge28.5nC
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The STPSC10H065G-TR is a Power Schottky Silicon Carbide Diode features ultra high performance. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature. It is especially suited for use in PFC applications and this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.
- No or negligible reverse recovery
- Switching behaviour independent of temperature
- High forward surge capability
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Product Range
650V
Repetitive Peak Reverse Voltage
650V
Total Capacitive Charge
28.5nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
10A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001724