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STS7NF60L
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Surface Mount
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| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩3,587 |
| 10+ | ₩2,469 |
| 100+ | ₩1,728 |
| 500+ | ₩1,251 |
| 1000+ | ₩1,046 |
| 5000+ | ₩1,026 |
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제품 정보
제조업체 부품 번호STS7NF60L
주문 코드2344088
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id7.5A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The STS7NF60L is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
- 0.017Ω RDS (ON)
- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
- Low threshold drive
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
STS7NF60L의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00012