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제품 정보
제조업체 부품 번호STS8DN3LLH5
주문 코드3367091RL
Product RangeSTripFET V Series
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
On Resistance Rds(on)0.0155ohm
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0155ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd2.7W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.7W
Power Dissipation P Channel2.7W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
10A
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0155ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.7W
Product Range
STripFET V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.0155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.7W
Power Dissipation N Channel
2.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000454